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日月光推出具備矽通孔的FOCoS-Bridge封裝技術 可讓下一代AI/HPC應用的功率損耗降低三倍

May 28, 2025

日月光半導體(日月光投資控股股份有限公司成員–台灣證交所代碼:3711,紐約證交所代碼:ASX)宣佈推出具備矽通孔 (TSV) 的扇出型基板上晶片橋接技術 (FOCoS-Bridge),推動人工智慧(AI)技術發展,並加速AI對全球生活的深遠影響。日月光 FOCoS-Bridge 利用TSV提供更短的傳輸路徑,實現更高的 I/O 密度與更好的散熱效能,滿足日益增長的頻寬需求。 TSV 的整合擴展了日月光 VIPack™ FOCoS-Bridge 的技術能力,可在 AI 和高效能運算 (HPC) 應用需求空前高漲的時候提供關鍵的能源效率。

小晶片(Chiplet)和高頻寬記憶體 (HBM) 整合將需要更高的互連密度,以實現更高速的平行資料連接並保持訊號完整性。高密度互連是晶片整合的關鍵技術。隨著 AI 和 HPC 電力傳輸需求變得越來越複雜,迫切需要具備 TSV 的先進橋接晶片。VIPack™ FOCoS-Bridge 平台可嵌入被動和主動晶片,用於提高電源完整性並提供直接存取以增進效能。

日月光執行副總Yin Chang表示:「從智慧製造系統、自動駕駛汽車,到下一代零售基礎設施和精準醫療診斷,AI日漸融入各種應用領域,推動運算需求和能源效率需求呈指數級增長。我們推出具備 TSV 的 FOCoS-Bridge,彰顯日月光整合解決方案支持人工智慧生態系統的承諾。這項創新增強了我們的 VIPack™產品組合,並針對可持續的高效能運算架構,提供了一個最佳化可擴展的高密度封裝平台。」

VIPack™平台的持續擴展反映了日月光的策略願景—為可持續的高效能運算提供全面、可擴展的生態系統,滿足新興 AI 工作負載的急遽需求。日月光具備 TSV 的 FOCoS-Bridge 可以透過用於高功率和高頻寬系統的異質整合,來滿足下一代 AI 和 HPC 效能需求。目前已經實現由兩個相同的扇出模組組成的 85mm x 85mm 測試載具(Test Vehicle)—每個模組以四個TSV橋接晶片以及10個整合式被動元件晶片,橫向互連一個ASIC晶片和四個HBM3晶片。

結合傳統的橫向訊號連接,TSV 橋接晶片為電力傳輸提供更短的垂直路徑。 TSV 和被動元件皆嵌入在重佈線層(RDL),並以 5µm 線寬/線距的三層RDL互連。與 FOCoS-Bridge 相比,FOCoS-Bridge TSV 的電阻和電感分別大幅降低了 72% 和 50%。

日月光研發處長李德章表示:「HPC 和 AI 日益增長的應用加速了高運算效能需求,日月光 FOCoS-Bridge 可實現 SoC 和Chiplets與高頻寬記憶體的無縫整合。透過採用 TSV,FOCoS-Bridge 提高了運算和能源效率,並將我們的先進封裝技術組合提升到一個新的水準。」

FOCoS-Bridge 技術已經證明提供更高頻寬和更快資料傳輸速率的能力,以滿足 AI 和 HPC 應用。利用高度整合的扇出結構優勢,FOCoS-Bridge 突破傳統電性互連的侷限,實現處理器、加速器和記憶體模組之間的高速、低延遲、節能的資料通訊。除了可以在扇出型封裝中嵌入被動和主動晶片,FOCoS-Bridge 還提供了整合去耦合電容器的選項,用於優化電源傳輸,以及主動晶片用於特定功能(如內存、I/O 等)之間的互連。

日月光工程和技術推廣處長 Charles Lee 表示:「日月光長期處於封裝產業前沿,是高功率 AI 和HPC應用的先進封裝領導廠商。我們的優勢在於我們有能力提供創新技術,滿足快速發展的市場中客戶不斷變化的需求。」

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